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首先,从物理层面看,当晶体管尺寸逼近原子量级,传统的硅基CMOS技术面临根本性挑战:晶体管栅极漏电问题日益严重,量子隧穿效应导致芯片稳定性大幅下降,信号传输延迟难以优化。即便是目前最先进的3nm工艺,其晶体管密度已接近物理极限,进一步微缩带来的性能增益已呈边际递减——每推进一纳米,所需的技术突破难度呈指数级上升。

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